Fichier de travail (INPUT) : /cygdrive/f/MASTER-TAL/PROJET-MOT-SUR-LE-WEB/DUMP-TEXT/PL/6/3.txt

Encodage utilisé (INPUT) : UTF-8

Forme recherchée : pamię(ć$|ci$|cią|ciami|ciom)

• Ligne n°32 : Układy pamięci RAM zbudowane są z elektronicznych elementów, które mogą zapamiętać swój stan. Dla każdego bitu informacji potrzebny jest jeden taki układ. W zależności od tego czy pamięć RAM jest tak zwaną statyczną pamięcią (SRAM-Static RAM), czy dynamiczną (DRAM-Dynamic RAM) zbudowana jest z innych komponentów i soje działanie opiera na innych zasadach. Pamięć SRAM jako element pamiętający wykorzystuje przerzutnik, natomiast DRAM bazuje najczęściej na tzw. pojemnościach pasożytniczych (kondensator). DRAM charakteryzuje się niskim poborem mocy, jednak związana z tym skłonność do samorzutnego rozładowania się komórek sprawia, że konieczne staje się odświeżanie zawartości impulsami pojawiającymi się w określonych odstępach czasu. W przypadku SRAM, nie występuje konieczność odświeżania komórek lecz okupione jest to ogólnym zwiększeniem poboru mocy. Pamięci SRAM, ze względu na krótki czas dostępu są często stosowane jako
Ligne n°33 : pamięć podręczna. Wykonane w technologii CMOS pamięci SRAM mają mniejszy pobór mocy, są jednak stosunkowo drogie w produkcji. ...


• Ligne n°64 : Nowsze płyty główne zbudowane na układach Intel Triton VX i TX oraz VIA 580VP i 590VP potrafią współpracować także z pamięciami SDRAM (Synchronous Dynamic RAM, nie mylić ze SRAM). Najważniejszą cechą tego nowego rodzaju pamięci jest możliwość pracy zgodnie z taktem zegara systemowego. Podobnie do układów BEDO, SDRAM-y mogą pracować w cyklu 5-1-1-1. Istotną różnicą jest natomiast możliwość bezpiecznej współpracy z magistralą systemową przy prędkości nawet 100 MHz (10 ns).


• Ligne n°76 : Wydajność systemu wyposażonego nawet w szybszą pamięć SDRAM, wzrośnie jeśli tylko na płycie głównej zostanie umieszczona pamięć podręczna. Cache drugiego poziomu jest tak zwaną pamięcią statyczną SRAM. Ten rodzaj RAM jest szybszy od pamięci dynamicznych, jednak bardziej kosztowny. Już w komputerach 386 na płytach głównych montowano 64 KB tej pamięci. Początkowo stosowany był asynchroniczny SRAM, którego główną zaletą była duża szybkość (zazwyczaj 15 ns). Dosyć często występowała konieczność wstawienia cyklu oczekiwania z powodu braku synchronizacji pomiędzy buforem a procesorem. Dlatego też pojawił się synchroniczny SRAM, którego parametry pracy poprawiły się właśnie dzięki eliminacji wait states. O ile pierwsze pamięci asynchroniczne mogły w najlepszym razie osiągnąć cykl 3-2-2-2 przy magistrali 66 MHz, to w przypadku synchronicznego bufora możliwe było stosowanie cyklu pracy 2-1-1-1. Obecnie jedynym rodzajem cache'u
Ligne n°77 : stosowanego na płytach głównych jest tzw. Piplined Burst SRAM. ...